MJ11016G

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	97.65kr	122.06kr
2 - 2	92.77kr	115.96kr
3 - 4	87.89kr	109.86kr
5 - 9	83.00kr	103.75kr
10 - 14	70.62kr	88.28kr
15 - 19	68.92kr	86.15kr
20 - 39	66.37kr	82.96kr

Antal	U.P
1 - 1	97.65kr	122.06kr
2 - 2	92.77kr	115.96kr
3 - 4	87.89kr	109.86kr
5 - 9	83.00kr	103.75kr
10 - 14	70.62kr	88.28kr
15 - 19	68.92kr	86.15kr
20 - 39	66.37kr	82.96kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 39

Sæt med 1

MJ11016G. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 4pF. Omkostninger): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): +200°C. bemærk: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). bemærk: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!