Antal (Sæt med 10) | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.95kr | 4.94kr |
5 - 9 | 3.75kr | 4.69kr |
10 - 24 | 3.56kr | 4.45kr |
25 - 49 | 3.36kr | 4.20kr |
50 - 99 | 3.16kr | 3.95kr |
100 - 109 | 2.96kr | 3.70kr |
Antal (Sæt med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.95kr | 4.94kr |
5 - 9 | 3.75kr | 4.69kr |
10 - 24 | 3.56kr | 4.45kr |
25 - 49 | 3.36kr | 4.20kr |
50 - 99 | 3.16kr | 3.95kr |
100 - 109 | 2.96kr | 3.70kr |
NPN transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G. NPN transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 1.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1.2A. Mærkning på kabinettet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 23:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.