MMBT4401LT1G

Antal (Sæt med 10)	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	4.67kr	5.84kr
5 - 9	4.44kr	5.55kr
10 - 24	4.20kr	5.25kr
25 - 49	3.97kr	4.96kr
50 - 99	3.73kr	4.66kr
100 - 118	3.50kr	4.38kr

Antal (Sæt med 10)	U.P
1 - 4	4.67kr	5.84kr
5 - 9	4.44kr	5.55kr
10 - 24	4.20kr	5.25kr
25 - 49	3.97kr	4.96kr
50 - 99	3.73kr	4.66kr
100 - 118	3.50kr	4.38kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 1171

Sæt med 10

MMBT4401LT1G. Omkostninger): 80pF. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 0.6A. Ic (puls): 0.9A. Mærkning på kabinettet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 30 ns. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafi/CMS-kode 2X. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 06:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!