N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , PDFN56, 40V, 161A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6435pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , PDFN56, 40V, 121A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 3 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4456pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 107W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , PDFN56, 40V, 121A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5022pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 107W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , PDFN56, 60V, 104A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 56 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6870pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , PDFN56, 60V, 107A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 78 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6253pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, 20V, -6A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Drain-source spænding Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 0.6V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 562pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.6W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (maks.): 0.47A. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Teknologi: V-MOS

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNB10N07. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 100 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 900ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNB14N04. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 120ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 500 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNB35N07-E. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 200 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 800 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNB49N04. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 600 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 2400 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (maks.): 75uA. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 45V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 1NV04P. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-kanal transistor, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 70V. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 125 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fuldt autobeskyttet power-mosfet. GS-beskyttelse: Zener diode. Id(imp): 14A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: Lineær strømbegrænsning. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 230 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: OMNIFET. Driftstemperatur: -55...+150°C

N-kanal transistor, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 0.05 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 70V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fuldt autobeskyttet power-mosfet. IDss (min): 50uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. RoHS: ja . Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: OMNIFET. Maksimal dissipation Ptot [W]: 83W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): MOSFET. Drain-source spænding Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Spænding Vds (maks.): 70V. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNP35N07. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 200 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C. Bruges til: Ilim= 35A IR= -50A. Vin-indgangsspænding (maks.): 18V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 70V, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: VNP5N07-E. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 100 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 250 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +135°C

N-kanal transistor, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 75uA. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 45V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 107ns. Type transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode S3NV04DP. Mærkning på kabinettet: S3NV04DP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 450 ns. Td(on): 90 ns. Teknologi: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 650V, 38A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 53 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 193 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2940pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 277W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.0055 Ohms. Hus: TO-220AB. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 130A. Effekt: 260W

N-kanal transistor, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 60V. On-resistance Rds On: 0.0029 Ohms. Hus: TO-220AB. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 200A. Effekt: 260W

N-kanal transistor, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.0086 Ohms. Hus: TO-220. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 70A. Effekt: 125W

N-kanal transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 10A. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Advanced Power MOSFET

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 60V, 0.15A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVN3306F. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (maks.): 0.18A. On-resistance Rds On: 10 Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logik-niveau. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.7W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

N-kanal transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.13 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 70V. C (i): 298pF. Omkostninger): 35pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Teknologi: Enhancement Mode MOSFET . Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V