N-kanal transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

N-kanal transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
64.24kr
5-9
56.57kr
10-14
51.38kr
15-29
47.57kr
30+
41.56kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 24

N-kanal transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.21 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 3400pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): n/a. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 320pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja. Td(fra): 280 ns. Td(on): 130 ns. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (MOS VI). Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SK4108
28 parametre
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.21 Ohms
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hus (i henhold til datablad)
2-16C1B
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
3400pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
Skift af regulatorapplikationer
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
320pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
150W
RoHS
ja
Td(fra)
280 ns
Td(on)
130 ns
Teknologi
Felteffekttransistor, MOS-type (MOS VI)
Trr-diode (min.)
1300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2SK4108