N-kanal transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V

N-kanal transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
10.51kr
5-24
8.68kr
25-49
7.33kr
50+
6.63kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 48

N-kanal transistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. On-resistance Rds On: 0.018 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): P-TO263-3-2. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 1220pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 410pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Td(fra): 30 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: SIPMOS, PowerMosfet. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

BUZ102S
19 parametre
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
52A
Idss (maks.)
52A
On-resistance Rds On
0.018 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
P-TO263-3-2
Spænding Vds (maks.)
55V
C (i)
1220pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
410pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
Td(fra)
30 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
SIPMOS, PowerMosfet
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BUZ102S