N-kanal transistor FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanal transistor FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
19.19kr
5-24
16.51kr
25-49
14.53kr
50+
13.08kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 19

N-kanal transistor FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1220pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 220pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja. Td(fra): 55 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF19N20
30 parametre
ID (T=100°C)
7.5A
ID (T=25°C)
11.8A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.12 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1220pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
48A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
220pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
50W
RoHS
ja
Td(fra)
55 ns
Td(on)
20 ns
Teknologi
N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET)
Trr-diode (min.)
140 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til FQPF19N20