N-kanal transistor HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 40A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 25A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.7V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: 5N120BND. Mætningsspænding VCE (sat): 2.45V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 167W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.8V. RoHS: ja. Td(fra): 182 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: NPT serie IGBT transistor med anti-parallel hyperhurtig diode. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43