N-kanal transistor HGTG10N120BND, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 80A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 35A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.7V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: 10N120BND. Mætningsspænding VCE (sat): 2.45V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 298W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.8V. RoHS: ja. Td(fra): 165 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: NPT serie IGBT transistor med anti-parallel hyperhurtig diode. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43