N-kanal transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanal transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
13.95kr
5-49
11.81kr
50-99
10.43kr
100-199
9.37kr
200+
7.99kr
+20 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 404

N-kanal transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Hus: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 11m Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 1570pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 110W. Egenskaber af halvleder: Logisk niveau. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Gate-source spænding: ±16V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 240A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 230pF. Oplade: 23nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(fra): 24 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 22ms. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 60A. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Ækvivalenter: IRLR2905ZTRPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR2905Z
39 parametre
Hus
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
42A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
11m Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
1570pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
55V
Effekt
110W
Egenskaber af halvleder
Logisk niveau
Funktion
Portstyring efter logisk niveau
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
Gate-source spænding
±16V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
240A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
230pF
Oplade
23nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
110W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(fra)
24 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
22ms
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
60A
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Ækvivalenter
IRLR2905ZTRPBF
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRLR2905Z