N-kanal transistor MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V

N-kanal transistor MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
29.71kr
5-24
27.09kr
25-49
25.17kr
50-99
23.48kr
100+
20.17kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 1

N-kanal transistor MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Omkostninger): 184pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 49W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(fra): 76 ns. Td(on): 38 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Magnachip Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
MDF11N60TH
30 parametre
ID (T=100°C)
6.9A
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
1uA
On-resistance Rds On
0.45 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO220F
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SMPS, højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Omkostninger)
184pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
49W
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low Gate Charge
Td(fra)
76 ns
Td(on)
38 ns
Teknologi
Cool Mos POWER transistor
Trr-diode (min.)
430 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Magnachip Semiconductor

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til MDF11N60TH