N-kanal transistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-kanal transistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
15.95kr
5-24
13.43kr
25-49
11.55kr
50-99
10.41kr
100+
8.77kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 12

N-kanal transistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 4.6 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 440pF. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10.4A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 60pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Td(fra): 15 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

STP3NB80
27 parametre
ID (T=100°C)
1.6A
ID (T=25°C)
2.6A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
4.6 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
440pF
Funktion
N MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
10.4A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
60pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
90W
Td(fra)
15 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
PowerMESH™ MOSFET
Trr-diode (min.)
650 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til STP3NB80