NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 4A, 100V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB682

NPN transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB688. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 0.7A, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 0.7A. Hus: TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 6A, 120V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: B=1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, 120V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB764. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SD871. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/600V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W

NPN transistor, 3A, 30 v. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 3A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Omkostninger): 45pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 7A. Mærkning på kabinettet: D882. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB772. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , M31/J, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 330V/200V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W

NPN transistor, 2A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 2A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: TO-126

NPN transistor, 0.02A, 120V. Kollektorstrøm: 0.02A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: NPN. Funktion: NF

NPN transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Omkostninger): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: AF udgangsforstærker. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 340. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: D13009K. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: D209L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (min): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 490V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 20. Minimum hFE-forstærkning: 16. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: 4202BD. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. tf (min): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.18V. Vebo: 13V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-323, 40mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-323. Samlerstrøm Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 5.5V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-18. Omkostninger): 4.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS