NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 2A, 100V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: >1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. CE-diode: ja

NPN transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: SMD. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1202. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer . tf (maks.): 20 ns. tf (min): 20 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1204

NPN transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: 5000. Minimum hFE-forstærkning: 2000. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Spec info: Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 5A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output Amp.. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1274

NPN transistor, 4A, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. Minimum hFE-forstærkning: 3000. bemærk: =3000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1342

NPN transistor, PCB-lodning , M31/C, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/650V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): 1500V. driftstemperaturområde maks (°C): 650V

NPN transistor, 10A, 650V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Funktion: S-L TV/HA(F)

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrøm: 2.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Mærkning på kabinettet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220FP. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V/60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 30W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3A. driftstemperaturområde min (°C): 30W. driftstemperaturområde maks (°C): Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Kollektorstrøm: 3.5A. Hus: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 3A, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. bemærk: >500. Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, 110V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 3A. Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50MHz. Funktion: Effektforstærkning med høj fremadgående strøm. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: 2.37k Ohms. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1560. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. bemærk: serigrafi/SMD-kode DT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1561

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 6A. Mærkning på kabinettet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V