NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 8A, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , ISOWATT-218, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: ISOWATT-218. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU508DFI. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 700V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 7 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, 480V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 480V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-SN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 330V/200V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 330V/ 200V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: TO-220FH

NPN transistor, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 230. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

NPN transistor, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 60...230, isoleret plasthus. Spec info: faldtid 0,8us

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU941ZP. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 350V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 155W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

NPN transistor, 15A, 400V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Type transistor: NPN. vcbo: 500V. bemærk: >300. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: efterårstid 625ns. Max hFE-forstærkning: 3400. Minimum hFE-forstærkning: 500. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 360-450V Clamping

NPN transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: HV-POWER

NPN transistor, 30A, TO-247 , TO-247 , 450V. Kollektorstrøm: 30A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Ic (puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Højspænding Multi Epitaxial Planar teknologi . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.05us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor

NPN transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): TO-218-ISO. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 7. Ic (puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 220 ns. tf (min): 110 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

NPN transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingshurtigt skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 210 ns. tf (min): 110 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 9. Minimum hFE-forstærkning: 2.5. Ic (puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 400 ns. tf (min): 200 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: ISOWATT218. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 6. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Tf (type): 190 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 10A, 700V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. bemærk: MONITOR. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

NPN transistor, 4A, 400V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: højspænding, hurtigt skiftende. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 720 ns. tf (min): 450 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V. Funktion: højspændings hurtig omskiftning, til omskiftning af strømforsyninger. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 6. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150us. tf (min): 80us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig skift til skift af strømforsyninger

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 13.5. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150 ns. tf (min): 80 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Vebo: 9V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtig kommutering til switching mode strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 50 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 850V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms