NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 7A, 450V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift

NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Omkostninger): 50pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 14. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 9V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUL45D2G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Omkostninger): 50pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 13 MHz. Funktion: High-speed, high-gain, bipolær NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 22. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.28V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, 500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Høj hastighed. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Kollektorstrøm: 1.2A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 5. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. tf (min): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 600V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 200V, 70A, TO-3. Collector-Emitter Spænding VCEO: 200V. Kollektorstrøm: 70A. Hus: TO-3. Polaritet: NPN. Effekt: 350W

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 4us. tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power transistor. tf (maks.): 160 ns. tf (min): 145 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Tf 170ns

NPN transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 23W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: høj spænding, høj hastighed

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 4A, 350V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. Type transistor: NPN. vcbo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 50A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUV20. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 125V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 8 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220 CASE 221A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 190V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Designet til højhastighedsapplikationer. Ic (puls): 30A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. RoHS: ja . tf (maks.): 150 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 7V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtig skiftehastighed. Ic (puls): 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 250 ns. tf (min): 120ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 240V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, 150V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, TO-247 , 15A, TO-247 , 450V, 1000V, 15A. Hus: TO-247 . Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 1000V. Kollektorstrøm: 15A. RoHS: ja . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUV48A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 8:1. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.4us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 7V. Type transistor: Power transistor. Polaritet: NPN. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

NPN transistor, 5A, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V. Mængde pr tilfælde: 1. CE-diode: ja

NPN transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: højspænding, hurtigt skiftende. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS