NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. C (i): 30pF. Omkostninger): 8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 0.8A. Mærkning på kabinettet: p2X, t2X, W2X. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: serigrafi/SMD-kode P2X, T2X, W2X, komplementær transistor (par) PMBT4401. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.75V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 19pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Spec info: hFE 80...450. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Spec info: hFE 240...600. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V

NPN transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 75pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: Almindelig forstærker. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-363, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-363. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: D*2. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: DTR.. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Spec info: serigrafi/CMS-kode XJ. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , ITO-218, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: ITO-218. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: S2000N. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1.5 kV. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-247 , TO-247F, 1500V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 9pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 160V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L, HI-FI Audio. bemærk: hFE 5000...20000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 160V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L, HI-FI Audio. bemærk: hFE 5000...20000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 400V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. C (i): 11pF. Omkostninger): 1.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: højspændingsforstærker, SMD-version af MPSA42. Minimum hFE-forstærkning: 25. bemærk: komplementær transistor (par) SMBTA92. Mærkning på kabinettet: s1D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.36W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode S1D. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 9pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: S8050 C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 28pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Klasse B Push-pull-drift. Max hFE-forstærkning: 135. Minimum hFE-forstærkning: 96. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Spec info: fremragende hFE-linearitet. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.16V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 270 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.45W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 8A. Mærkning på kabinettet: 13005A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 16. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: 13007A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 350 ns. tf (min): 40 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 50. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 15...28. Mærkning på kabinettet: ST13009L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Spec info: ST13009L. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 700V

NPN transistor. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 122pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: N83003. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) STN93003. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V

NPN transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 215pF. CE-diode: NINCS. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Lavspændingshurtigt skiftende NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.32V. Vebo: 7V

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: HIGH SWITCH. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Spec info: Høj hastighed. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: ISOWATT218. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: switching, lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP107. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V

NPN transistor, 2A, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 4A. bemærk: >1000. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V