NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1D. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 5mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3EM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Omkostninger): 9pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mærkning på kabinettet: Y1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8E. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8K. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.246W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: par komplementære transistorer. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP & NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA42. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-modstand: 10. Omkostninger): 300pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 100MHz. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA06. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.5A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 10000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Teknologi: Darlington transistor. tf (min): 125 MHz. Type transistor: NPN. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 10000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 45V, 0.2A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (ammo pak). Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Omkostninger): 3pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ækvivalenter: KSP42. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 500mV. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Kollektorstrøm: 0.3A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (ammo pak). Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Omkostninger): 7pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ækvivalenter: KSP44, CMPSA44. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mætningsspænding VCE (sat): 400mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 750mV. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 5mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSH10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Omkostninger): 3pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Funktion: hFE 25...40. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 6pF. FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 150000. Minimum hFE-forstærkning: 25000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 12V. Funktion: High hFE. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 28V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 28V. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: transistor med bias modstand netværk. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Mærkning på kabinettet: 8B. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 338mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Digitale transistorer (BRT). Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Antal terminaler: 3. bemærk: Panasonic NV-SD450. bemærk: B1GBCFLL0035. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode 8B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor. C (i): 9pF. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. C (i): 9pF. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Produktionsdato: 201452 201512. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 45. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) NJW1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, 60V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.5 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. bemærk: hFE 20...70. bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor. Omkostninger): 135pF. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: SOT-199. Hus (i henhold til datablad): SOT-199. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Lavet til Grundig. Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS