NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: transistor med bias modstand netværk. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. bemærk: Panasonic NV-SD450. bemærk: B1GBCFLL0035. Mærkning på kabinettet: 8B. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 338mW. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 8B. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Digitale transistorer (BRT). Type transistor: NPN. vcbo: 50V

NPN transistor. BE-diode: NINCS. C (i): 9pF. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. C (i): 9pF. Omkostninger): 6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Produktionsdato: 201452 201512. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 45. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) NJW1302. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, 15A, 60V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.5 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. bemærk: hFE 20...70. bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN transistor. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 135pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: SOT-199. Hus (i henhold til datablad): SOT-199. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Lavet til Grundig. Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 600mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P2N2222A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrøm: 6.2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 75. Ic (puls): 15A. bemærk: komplementær transistor (par) PBSS4041PX. Mærkning på kabinettet: 6F. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6F. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 220 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 35mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 320mV. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Minimum hFE-forstærkning: 80. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: *08. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode P08/T08. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 10V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NPN skiftetransistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Spec info: 130.41594. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 15V

NPN transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 500 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: serigrafi/SMD-kode P1J, T1J. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 15V

NPN transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. C (i): 30pF. Omkostninger): 8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 0.8A. Mærkning på kabinettet: p2X, t2X, W2X. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: serigrafi/SMD-kode P2X, T2X, W2X, komplementær transistor (par) PMBT4401. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.75V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 19pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Spec info: hFE 80...450. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Spec info: hFE 240...600. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V

NPN transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 75pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: Almindelig forstærker. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-363, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-363. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: D*2. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: DTR.. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Spec info: serigrafi/CMS-kode XJ. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , ITO-218, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: ITO-218. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: S2000N. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1.5 kV. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Collector-Emitter Spænding VCEO: 1500V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-247-T. Type transistor: Power transistor. Polaritet: NPN. Applikationer: skift. Effekt: 50W. Indbygget diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-247 , TO-247F, 1500V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 9pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 160V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L, HI-FI Audio. bemærk: hFE 5000...20000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 160V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L, HI-FI Audio. bemærk: hFE 5000...20000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, 400V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V

NPN transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V, 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Mærkning på kabinettet: s1D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.36W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode S1D. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. C (i): 11pF. Omkostninger): 1.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: højspændingsforstærker, SMD-version af MPSA42. Minimum hFE-forstærkning: 25. bemærk: komplementær transistor (par) SMBTA92

NPN transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 9pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: S8050 C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V