NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: N83003. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 1000. Spec info: komplementær transistor (par) STN93003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 215pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Lavspændingshurtigt skiftende NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.32V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 1000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: HIGH SWITCH. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Høj hastighed. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: ISOWATT218. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-modstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funktion: switching, lydforstærker. Spec info: komplementær transistor (par) TIP107. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 2A, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. bemærk: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

NPN transistor, 4A, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Omkostninger): 2pF. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. bemærk: >1000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP120. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP122. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: silicium . Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) TIP127

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Modstand B: ja . BE-modstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (i): TO-220. Omkostninger): 200pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: +150°C. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditioneringsenhed: 50. Spec info: komplementær transistor (par) TIP127G. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP132. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 15000. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 4 v. Vebo: 5V. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) TIP137

NPN transistor, 10A, TO-247 , TO-247 , 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Omkostninger): 60pF. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: Komplementær effekt Darlington transistor. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Modstand B: Darlington Power Transistor. C (i): 100V. Antal terminaler: 3. BE-modstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementær transistor (par) TIP147. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: Komplementær effekt Darlington transistor. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-modstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementær transistor (par) TIP147T. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 15A, TO-247 , TO-247 , 100V, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Polaritet: NPN. Effekt: 90W. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) TIP2955. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: Lav kollektor-emitter mætning spænding

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 24. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 5A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) TIP32C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25A, TO-247 , TO-247 , 100V, 100V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Produktionsdato: 1450. Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 50A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Polaritet: NPN. Effekt: 125W. Spec info: komplementær transistor (par) TIP36C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 25A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samlerstrøm Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP35CG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Omkostninger): 80pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 75. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) TIP42C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100V, 6A, TO-220. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Polaritet: NPN. Effekt: 65W

NPN transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 400V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 1W

NPN transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.75W

NPN transistor, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 18A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Høj hastighed.. Max hFE-forstærkning: 15. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . tf (maks.): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diode: ja

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: med polarisationsmodstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output-applikationer. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: med polarisationsmodstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS