NPN bipolære transistorer

NPN transistor, EMT6. Hus (i henhold til datablad): EMT6. Mærkning på kabinettet: H9C. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: *SMD SO6*. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 6. bemærk: serigrafi/SMD-kode H9C

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: INFI->PANAS. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 120pF. CE-diode: NINCS. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: unijunction transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Max hFE-forstærkning: 1200. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) ZTX788. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+200°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX550. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX551. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrøm: 300mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 240 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 35V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.23V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Omkostninger): 30pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 1200 ns. tf (min): 80 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX753. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX790. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat)0,92V. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.58W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 1100 ns. tf (min): 45 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V