NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 900V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SC3157. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1265. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.02A, 40V. Kollektorstrøm: 0.02A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Mærkning på kabinettet: C3198. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 150mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 70. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Spec info: erstatning KTA1267. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimum hFE-forstærkning: 500. bemærk: 9mm. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1294. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 250pF. CE-diode: NINCS. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 17A, 230V. Kollektorstrøm: 17A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1295. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1302. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1303. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1306. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Vebo: 5V

NPN transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 8A. Mærkning på kabinettet: C3303. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: NF/SL. Ic (puls): 8A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 8V

NPN transistor, 0.7A, 180V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. bemærk: hFE 140...280. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.7W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1319. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. vcbo: 900V

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 250 MHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1360. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: hFE 15...30. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1100V

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: hFE 20...40. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1100V