NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 20pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 160. Mærkning på kabinettet: C2383 Y. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1013. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 180. bemærk: serigrafi/SMD-kode BQ. Mærkning på kabinettet: BQ. Antal terminaler: 3. Temperatur: +155°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1037. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 400mV

NPN transistor, PCB-lodning , P22/U, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: P22/U. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: højde 5 mm. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 5A. Mærkning på kabinettet: C2500. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: NPN epitaksial siliciumtransistor. Type transistor: NPN. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 450V

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , D6/C, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/30V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

NPN transistor, 1A, 40V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: hFE 100...200. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrøm: 1.2A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 19pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 155 MHz. Funktion: HF. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 2.5A. Mærkning på kabinettet: C2690A Y. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1220A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.8pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Ic (puls): 800mA. bemærk: 9mm. Mærkning på kabinettet: C2705. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1145. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 200. bemærk: serigrafi/SMD-kode DG. Mærkning på kabinettet: DG. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150mW. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1163. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 300mV

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-103, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-103. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-236, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 300mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: Til Muting og Switching. Max hFE-forstærkning: 1200. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400mW. RoHS: ja . Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 130 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.042V. Vebo: 25V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 70mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V/160V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Kollektorstrøm: 70mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1208. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højspændingskobling. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 140mA

NPN transistor, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Kollektorstrøm: 0.14A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1209. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 500V

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. bemærk: for at skifte applikation. bemærk: komplementær transistor (par) 2SA1244. Mærkning på kabinettet: C3074. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , D8A/C, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8A/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/19V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D6/C, 150mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 900V