NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 200. bemærk: serigrafi/SMD-kode DG. Mærkning på kabinettet: DG. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150mW. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1163. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 300mV. Originalt produkt fra producenten Toshiba. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 12:25.