Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 13.01kr 16.26kr
5 - 9 12.36kr 15.45kr
10 - 24 11.71kr 14.64kr
25 - 49 11.05kr 13.81kr
50 - 99 10.79kr 13.49kr
100 - 249 10.53kr 13.16kr
250+ 10.01kr 12.51kr
Antal U.P
1 - 4 13.01kr 16.26kr
5 - 9 12.36kr 15.45kr
10 - 24 11.71kr 14.64kr
25 - 49 11.05kr 13.81kr
50 - 99 10.79kr 13.49kr
100 - 249 10.53kr 13.16kr
250+ 10.01kr 12.51kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Udsolgt
Sæt med 1

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Mærkning på kabinettet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 13:25.

Tilsvarende produkter :

Antal på lager : 54
KSD2012GTU

KSD2012GTU

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til...
KSD2012GTU
NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Mærkning på kabinettet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
KSD2012GTU
NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Mærkning på kabinettet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
Sæt med 1
15.50kr moms inkl.
(12.40kr ekskl. moms)
15.50kr

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.