Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 13.01kr | 16.26kr |
5 - 9 | 12.36kr | 15.45kr |
10 - 24 | 11.71kr | 14.64kr |
25 - 49 | 11.05kr | 13.81kr |
50 - 99 | 10.79kr | 13.49kr |
100 - 249 | 10.53kr | 13.16kr |
250+ | 10.01kr | 12.51kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 13.01kr | 16.26kr |
5 - 9 | 12.36kr | 15.45kr |
10 - 24 | 11.71kr | 14.64kr |
25 - 49 | 11.05kr | 13.81kr |
50 - 99 | 10.79kr | 13.49kr |
100 - 249 | 10.53kr | 13.16kr |
250+ | 10.01kr | 12.51kr |
NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Mærkning på kabinettet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 13:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.