Antal (Sæt med 10) | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.36kr | 2.95kr |
5 - 9 | 2.24kr | 2.80kr |
10 - 24 | 2.12kr | 2.65kr |
25 - 49 | 2.01kr | 2.51kr |
50 - 99 | 1.89kr | 2.36kr |
100 - 149 | 1.77kr | 2.21kr |
150 - 30555 | 1.65kr | 2.06kr |
Antal (Sæt med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.36kr | 2.95kr |
5 - 9 | 2.24kr | 2.80kr |
10 - 24 | 2.12kr | 2.65kr |
25 - 49 | 2.01kr | 2.51kr |
50 - 99 | 1.89kr | 2.36kr |
100 - 149 | 1.77kr | 2.21kr |
150 - 30555 | 1.65kr | 2.06kr |
NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V - BC846B. NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): TO-236AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. C (i): 11pF. Omkostninger): 2pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mærkning på kabinettet: 1B. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 01:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.