NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327. NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer og skift. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: EKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX42. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 18:25.