NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327
| Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 1.66kr | 2.08kr |
| 10 - 24 | 1.58kr | 1.98kr |
| 25 - 49 | 1.50kr | 1.88kr |
| 50 - 99 | 1.41kr | 1.76kr |
| 100 - 249 | 1.33kr | 1.66kr |
| 250 - 259 | 1.15kr | 1.44kr |
| Antal | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 1.66kr | 2.08kr |
| 10 - 24 | 1.58kr | 1.98kr |
| 25 - 49 | 1.50kr | 1.88kr |
| 50 - 99 | 1.41kr | 1.76kr |
| 100 - 249 | 1.33kr | 1.66kr |
| 250 - 259 | 1.15kr | 1.44kr |
NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327. NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer og skift. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: EKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 22:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.