Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 16.29kr | 20.36kr |
5 - 9 | 15.48kr | 19.35kr |
10 - 24 | 14.99kr | 18.74kr |
25 - 49 | 14.66kr | 18.33kr |
50 - 51 | 13.48kr | 16.85kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 16.29kr | 20.36kr |
5 - 9 | 15.48kr | 19.35kr |
10 - 24 | 14.99kr | 18.74kr |
25 - 49 | 14.66kr | 18.33kr |
50 - 51 | 13.48kr | 16.85kr |
NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G. NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 13 MHz. Funktion: High-speed, high-gain, bipolær NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 22. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.28V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 10/06/2025, 08:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.