NPN transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

NPN transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
14.15kr
5-9
12.37kr
10-24
11.04kr
25-99
10.04kr
100+
8.60kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 73

NPN transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. FT: 9 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): -. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: B1366-G. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 35pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) KSD2012. Teknologi: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
KSB1366GTU
25 parametre
Kollektorstrøm
3A
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55°C til +150°C
FT
9 MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1V
Max hFE-forstærkning
320
Minimum hFE-forstærkning
150
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
B1366-G
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
35pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
Spec info
komplementær transistor (par) KSD2012
Teknologi
Silicon PNP Triple Diffused Type
Type transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til KSB1366GTU