NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G. NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 45pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 85 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: 45H11G. Ækvivalenter: MJD45H11G, MJD45H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJD45H11T4G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 22:25.