NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-CDIL
| Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.73kr | 7.16kr |
| 5 - 9 | 5.45kr | 6.81kr |
| 10 - 24 | 5.16kr | 6.45kr |
| 25 - 49 | 4.87kr | 6.09kr |
| 50 - 95 | 4.76kr | 5.95kr |
| Antal | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.73kr | 7.16kr |
| 5 - 9 | 5.45kr | 6.81kr |
| 10 - 24 | 5.16kr | 6.45kr |
| 25 - 49 | 4.87kr | 6.09kr |
| 50 - 95 | 4.76kr | 5.95kr |
NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-CDIL. NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: til Hi-fi-lydforstærkere og switching-regulatorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 20:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.