P-kanal transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

P-kanal transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. P-kanal transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. Idss (maks.): 46.4k Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 50V. C (i): 25pF. Omkostninger): 15pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 11W. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. On-resistance Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 11W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 7 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: Enhancement mode vertikal D-MOS transistor . Driftstemperatur: -65...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 0.8V. Originalt produkt fra producenten Yangjie Electronic Technology. Antal på lager opdateret den 07/06/2025, 22:25.