P-kanal transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P

P-kanal transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P. P-kanal transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 182pF. Omkostninger): 56pF. Kanaltype: P. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 5A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 358. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. On-resistance Rds On: 0.105 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten Onsemi (fairchild). Antal på lager opdateret den 04/09/2025, 04:56.