P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435

P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435. P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (maks.): 1uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 1604pF. Omkostninger): 408pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. On-resistance Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 42 ns. Td(on): 13 ns. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) min.: 1V. Teknologi: P-kanal. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 02:25.