P-kanal transistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V - FQP3P50

P-kanal transistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V - FQP3P50. P-kanal transistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (maks.): 10uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 510pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. On-resistance Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: ja . Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 12 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/06/2025, 22:25.