Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 9 | 2.49kr | 3.11kr |
10 - 24 | 2.37kr | 2.96kr |
25 - 49 | 2.24kr | 2.80kr |
50 - 99 | 2.12kr | 2.65kr |
100 - 249 | 2.07kr | 2.59kr |
250 - 263 | 2.02kr | 2.53kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 2.49kr | 3.11kr |
10 - 24 | 2.37kr | 2.96kr |
25 - 49 | 2.24kr | 2.80kr |
50 - 99 | 2.12kr | 2.65kr |
100 - 249 | 2.07kr | 2.59kr |
250 - 263 | 2.02kr | 2.53kr |
P-kanal transistor, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203. P-kanal transistor, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 5uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 510pF. Omkostninger): 71pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. IDss (min): 1uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode H. Mærkning på kabinettet: H. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.25W. On-resistance Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 52 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 20:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.