P-kanal transistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 9	2.63kr	3.29kr
10 - 24	2.50kr	3.13kr
25 - 49	2.37kr	2.96kr
50 - 99	2.23kr	2.79kr
100 - 249	2.18kr	2.73kr
250 - 309	1.91kr	2.39kr

Antal	U.P
1 - 9	2.63kr	3.29kr
10 - 24	2.50kr	3.13kr
25 - 49	2.37kr	2.96kr
50 - 99	2.23kr	2.79kr
100 - 249	2.18kr	2.73kr
250 - 309	1.91kr	2.39kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 309

Sæt med 1

P-kanal transistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402. P-kanal transistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (maks.): 25uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. C (i): 633pF. Omkostninger): 145pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. On-resistance Rds On: 0.05 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 588 ns. Td(on): 350 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs (th) maks.: 1.2V. Vgs (th) min.: 0.4V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation