P-kanal transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610

P-kanal transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610. P-kanal transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (maks.): 200uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 79pF. Omkostninger): 10pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 610. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.36W. On-resistance Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. bemærk: serigrafi/SMD-kode 610. Funktion: Spændingsstyret P-kanal lille signalafbryder, højdensitetscelledesign til lav RDS(ON). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 20:25.