P-kanal transistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401BDY

P-kanal transistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401BDY. P-kanal transistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (maks.): 10uA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 40V. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 35ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 97 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 23:25.