P-kanal transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

P-kanal transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. P-kanal transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (maks.): 10nA. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 600pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.2W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 35 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten Vishay. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 02:25.