SPD08P06P

SPD08P06P. C (i): 335pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 48 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.