Standard- og ensretterdioder

Halvledermateriale: silicium . bemærk: Højhastighedsskift. bemærk: 60App/8.3ms. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15. VRRM: 600V

Cj: 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højhastighedsskift. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 60A. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC. Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Spec info: 30App/10ms

Cj: 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 60A. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. bemærk: FAST RECOVERY RECTIFIER. bemærk: IFSM--200Ap/8.3mS. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V

Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. bemærk: 100App/10ms. Antal terminaler: 2. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AB ( SMC ). Driftstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 200V

Cj: 60pF. Trr-diode (min.): 500 sn. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AB ( SMC ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO214AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Cj: 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 200A. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 5A. VRRM: 400V

Cj: 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 2us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingsglas Passiveret Junction Ensretter . Fremadgående strøm (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 3V. Fremadspænding Vf (min): 3V. VRRM: 4000V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Cj: 25pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Ækvivalenter: HER103G. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2

Cj: 25pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Ækvivalenter: HER105G. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Antal terminaler: 2

Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Ækvivalenter: HER108G. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2

Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A top. MR (max): 150uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Driftstemperatur: -60...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Cj: 80pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 125A. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Vægt: 1.1g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Antal terminaler: 2. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. MR (max): 150uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 (9.5x5.6mm). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Antal terminaler: 2. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. Mængde pr tilfælde: 1. Vægt: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Cj: 80pF. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 125A. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Vægt: 1.1g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Cj: 65pF. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 150A. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. bemærk: Ultrafast. bemærk: Ifsm--60Aps

Cj: 10pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 18 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 60A. Mærkning på kabinettet: HFA08TB60. Ækvivalenter: 39.2k Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC-2. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: IFRM 24A