Standard- og ensretterdioder

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: 30App/10ms

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 60A. Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 3A. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: FAST RECOVERY RECTIFIER. bemærk: IFSM--200Ap/8.3mS. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. bemærk: 100App/10ms. Antal terminaler: 2. Driftstemperatur: -50...+150°C

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr-diode (min.): 500 sn. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Antal terminaler: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: silicium hurtig ensretter diode. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 200A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Antal terminaler: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V

Fremadgående strøm (AV): 5A. VRRM: 400V. Halvledermateriale: silicium

Fremadgående strøm (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 2us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingsglas Passiveret Junction Ensretter . Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 3V. Fremadspænding Vf (min): 3V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Ækvivalenter: HER103G. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. Ækvivalenter: HER105G. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ensretterdiode. Ækvivalenter: HER108G. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A top. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. MR (max): 150uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -60...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 125A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Vægt: 1.1g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. MR (max): 150uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Vægt: 0.4g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 125A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. bemærk: højeffektiv ensretterdiode. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Vægt: 1.1g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 150A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. MR (max): 200uA. MR (min): 10uA. RoHS: ja . Spec info: 150Ap/8.3ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tr: 75 ns. Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ultrafast. bemærk: Ifsm--60Aps. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD)

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 60A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 18 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Mærkning på kabinettet: HFA08TB60. Ækvivalenter: 39.2k Ohms. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja . Spec info: IFRM 24A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.4V

Fremadgående strøm (AV): 8A. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ultrafast. bemærk: Ifsm 60Aps. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD)

Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 50A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 42 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MR (max): 400uA. MR (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: HFA15TB60. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V