Transistorer

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

C (i): 2600pF. Omkostninger): 280pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. Mærkning på kabinettet: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 150 ns. Td(on): 100 ns. Teknologi: Felteffekt POWER MOS-type (MOSVII). Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 800pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 10uA. Mærkning på kabinettet: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 60 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1050pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Skiftende regulator. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 75 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 650V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 470pF. Omkostninger): 13pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 230 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: til switching mode spændingsregulatorer. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 10uA. Mærkning på kabinettet: TK7P60W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 55 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: MOSFET (DTMOSIV). Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.7V. Vgs (th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1350pF. Omkostninger): 135pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (maks.): 10uA. Mærkning på kabinettet: K8A65D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. On-resistance Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 75 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVII). Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10U1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 650V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (maks.): 0.3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. On-resistance Rds On: 2.3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: 9.31k Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 240V. Mængde pr tilfælde: 1

Funktion: SAMSUNG 0505-001417. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SMD SO-8. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 400V. Kollektorstrøm: 1A. Effekt: 1W. Hus: TO-92

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 50V. Kollektorstrøm: 3A. Effekt: 0.75W. Hus: TO-92

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7150pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6435pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 3 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4456pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 107W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5022pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 107W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 56 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6870pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: PDFN56. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 78 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6253pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -1.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 745pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Drain-source spænding Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 0.6V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 562pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.6W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Høj hastighed.. Max hFE-forstærkning: 15. Minimum hFE-forstærkning: 4. Kollektorstrøm: 18A. Ic (puls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . tf (maks.): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diode: ja

Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: med polarisationsmodstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output-applikationer. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.3us. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: med polarisationsmodstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 80pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output-applikationer. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 80pF. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mærkning på kabinettet: H21. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: *SMD SO6*. Hus (i henhold til datablad): EMT6. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 6. bemærk: serigrafi/SMD-kode H21

Mærkning på kabinettet: H9C. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: *SMD SO6*. Hus (i henhold til datablad): EMT6. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 6. bemærk: serigrafi/SMD-kode H9C