Transistorer

Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX551. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 5pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 300mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX451. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 50pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 240 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 35V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.23V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 30pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 1200 ns. tf (min): 80 ns. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX753. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX790

Omkostninger): 30pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 600 ns. tf (min): 40 ns. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.17V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX653. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZTX758. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.5A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 150. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 600 ns. tf (min): 35us. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX690

Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 300. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 750 ns. tf (min): 35us. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.45V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 70V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,95V

Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat)0,92V. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.58W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 1100 ns. tf (min): 45 ns. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVN3306F. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (maks.): 0.18A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.7W. On-resistance Rds On: 10 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 200V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVP2110A. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.7W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVP3306F. Drain-source spænding Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Drain-source spænding Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -2.0V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.75W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 298pF. Omkostninger): 35pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. On-resistance Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Teknologi: Enhancement Mode MOSFET . Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 70V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS