Transistorer

C (i): 1300pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 300uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Felteffekttransistor MOS II.5. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: DC-DC spændingsomformer. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (maks.): 5.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 400V

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: K1393. Drain-source spænding Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 150 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 675pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (maks.): 3.6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V

C (i): 700pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1mA. Mærkning på kabinettet: K1461. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. On-resistance Rds On: 2.8 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: V-MOS, S-L. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3BP. Driftstemperatur: -...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 3V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: 21F1B. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SK1489. Drain-source spænding Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 140 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 500 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 1200pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: K1507. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: F-II Series POWER MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 700pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektforstærkerapplikation. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 1mA. Mærkning på kabinettet: K1529. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Field Effect Silicon N-Channel MOS Type. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 180V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) max.: 2.8V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.8V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SJ200. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V

C (i): 690pF. Omkostninger): 120pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Høj hastighed. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 300uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 210 ns. Td(on): 70 ns. Teknologi: V-MOS. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 400pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 1mA. Mærkning på kabinettet: K2043. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: silicium MOSFET transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 4 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 4pF. Omkostninger): 4pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. Funktion: FM-tuner applikationer. ID (T=25°C): 20mA. Idss (maks.): 12mA. IDss (min): 0.6mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+125°C. Spænding Vds (maks.): 20V. Port/kildespænding (fra) max.: 2.5V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 730pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 0.1mA. Mærkning på kabinettet: K2129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: Power F-MOS FET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 200V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: MOSFET transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.35 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS-L. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V

C (i): 1100pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. Id(imp): 108A. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 100uA. Mærkning på kabinettet: K2314. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 140us. Td(on): 30us. Teknologi: Power Field-Effect Transistor. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. GS-beskyttelse: ja

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Teknologi: V-MOS (F). Spænding Vds (maks.): 700V. bemærk: 70/160ns. Mængde pr tilfælde: 1

Omkostninger): 700pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 100uA. Mærkning på kabinettet: K2372. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. C (i): 3600pF. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (maks.): 7.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 0.42 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Felteffekttransistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 250V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. ID (T=25°C): 3mA. Idss (maks.): 14mA. IDss (min): 6mA. Mærkning på kabinettet: K246BL. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Gate / kilde spænding Vgs: -30V. Port/kildespænding (fra) max.: 6V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: komplementær transistor (par) 2SJ103

C (i): 900pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. Id(imp): 12A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 63 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS