Transistorer

Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-18. Omkostninger): 4.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V

Omkostninger): 4.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 80pF. Omkostninger): 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: til mellemstore strøm- og switchingapplikationer . Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO39. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) BC161-16 . BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 180pF. Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): +175°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EPITAXIAL TRANSISTORS. tf (maks.): 650 ns. tf (min): 500 ns. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC141. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 4pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 460. Minimum hFE-forstærkning: 180. Kollektorstrøm: 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 240. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 240. Kollektorstrøm: 0.1A. bemærk: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V

Hus: TO-92. Modstand B: PNP transistor. BE-modstand: -50V. C (i): -0.1A. Omkostninger): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC212BG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC237BG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 120V. Kollektorstrøm: 0.5A. Effekt: 0.85W. Hus: TO-39

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Effekt: 0.85W. Hus: TO-39

Modstand B: PNP transistor. BE-modstand: -60V. C (i): -0.5A. Omkostninger): 0.85W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.65 MHz. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 0.5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Type transistor: PNP. vcbo: 85V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.65 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 0.5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 7V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v

Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.8A. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC337-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: C32716. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor