Transistorer

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

Halvledermateriale: silicium . FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 35. Kollektorstrøm: 100mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Funktion: UHF-V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Kollektorstrøm: 30mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-50. Hus (i henhold til datablad): TO-50. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Hus: SOT-37. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-V. Kollektorstrøm: 30mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 3pF. Omkostninger): 1.2pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: VHF og UHF applikationer med 12V forsyningsspænding. ID (T=25°C): 30mA. Idss (maks.): 18mA. IDss (min): 2mA. Mærkning på kabinettet: M90. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Spænding Vds (maks.): 18V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: ja

C (i): 2.3pF. Omkostninger): 0.8pF. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 30mA. Idss (maks.): 4mA. IDss (min): 2mA. Mærkning på kabinettet: MH. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Spænding Vds (maks.): 20V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode MH

C (i): 2.1pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: VHF og UHF applikationer med 12V forsyningsspænding. ID (T=25°C): 30mA. Idss (maks.): 15mA. IDss (min): 5mA. Mærkning på kabinettet: MOS. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 12V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1.1pF. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-143B. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 4. Producentens mærkning: BF998. Drain-source spænding Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2.5pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz bredbåndstransistor. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 150mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. vcbo: 25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Omkostninger): 0.7pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: Til VHF/UHF-antenneforstærker og RF-kommunikationsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 200mA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 1.3pF. Omkostninger): 0.7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 50mA. Mærkning på kabinettet: V3%. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143B. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: serigrafi/CMS-kode V3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 1.3pF. Omkostninger): 0.7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 50mA. Mærkning på kabinettet: %MW. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143B. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: serigrafi/SMD-kode MW. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BFN37. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 0.9pF. Omkostninger): 0.28pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 80mA. Mærkning på kabinettet: RC er. Pd (Strømafledning, maks.) ): 580mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 4. Spec info: screen print/SMD kode RC er. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 0.3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BFQ252. bemærk: Tc.=115°C

Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-A. Kollektorstrøm: 0.15A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Kollektorstrøm: 1.25A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: R7s. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 210mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.7W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: M2. Drain-source spænding Uds [V]: 25V. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. Komponentfamilie: N-kanal JFET transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 0.64pF. Omkostninger): 0.23pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 0.045A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.28W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 1.2pF. Omkostninger): 0.6pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 135. Minimum hFE-forstærkning: 65. Kollektorstrøm: 25mA. Mærkning på kabinettet: P2p. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode P2P. Konditioneringsenhed: 3000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P2. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: GFs. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 45mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.28W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C