Transistorer

C (i): 1470pF. Omkostninger): 360pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 63us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 94W. On-resistance Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 44 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFZ44NPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 1470pF. Omkostninger): 360pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 94W. On-resistance Rds On: 17.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 44 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZ44NS. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 94W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 1812pF. Omkostninger): 393pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. On-resistance Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 55A. Effekt: 115W. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 60V

C (i): 1696pF. Omkostninger): 407pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 107W. On-resistance Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 52 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1696pF. Omkostninger): 407pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. On-resistance Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 52 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-262 ( I2-PAK ). Hus (i henhold til datablad): TO-262. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFZ46NPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1696pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 1970pF. Omkostninger): 470pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 68 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 34 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

Hus: TO-220AB. Producentens mærkning: IRFZ48NPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1970pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 130W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 64A. Effekt: 130W. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Drain-source spænding (Vds): 55V

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20FD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 43 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 240 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Maksimal kollektorstrøm (A): 64A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20KD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 54 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 180 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Td(fra): 180 ns. Td(on): 54 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.27V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Maksimal kollektorstrøm (A): 32A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 27 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 540 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Maksimal kollektorstrøm (A): 38A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 27 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 540 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Maksimal kollektorstrøm (A): 38A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20UD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 39 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 93 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Maksimal kollektorstrøm (A): 52A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC20U. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 21 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 86 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. Maksimal kollektorstrøm (A): 52A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC30FD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 42 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 230 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. Maksimal kollektorstrøm (A): 60.4k Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC30KD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 60 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 160 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. Maksimal kollektorstrøm (A): 56A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC30S. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 22 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 540 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. Maksimal kollektorstrøm (A): 68A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Funktion: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 175 ns. Td(on): 27 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.59V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

C (i): 1100pF. Omkostninger): 73pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Trr-diode (min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Mærkning på kabinettet: IRG4BC30UD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 91 ns. Td(on): 40 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC30UD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 40 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 91 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. Maksimal kollektorstrøm (A): 92A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRG4BC30U. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 600V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 40 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 91 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. Maksimal kollektorstrøm (A): 92A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 980pF. Omkostninger): 71pF. Kanaltype: N. Funktion: effekt MOSFET transistor op til 150 kHz. Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Mærkning på kabinettet: IRG 4BC30W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 99 ns. Td(on): 25 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS