Transistorer

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SMD-220. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: L640S. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 150A. Effekt: 140W. On-resistance Rds On: 0.0038 Ohms. Hus: TO-220. Drain-source spænding (Vds): 30V

C (i): 7660pF. Omkostninger): 2150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 21 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 1V. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 10315pF. Omkostninger): 1980pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 39 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 375W. On-resistance Rds On: 1.4M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 97 ns. Td(on): 65 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. Funktion: DC Motor Drive, High Speed ​​Power Switching. Spec info: logisk niveaukontrol. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1077pF. Omkostninger): 360pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (maks.): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. On-resistance Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.35V. Vgs (th) min.: 1.35V. Funktion: Ultra lav tænd-modstand, hurtig skift. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5110pF. Omkostninger): 960pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC konverter. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.35V. Vgs (th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5110pF. Omkostninger): 960pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC konverter. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (maks.): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) min.: 20V. Vgs (th) maks.: 2.35V. Vgs (th) min.: 1.35V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 7660pF. Omkostninger): 2150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 21 ns. Hus: SUPER-220. Hus (i henhold til datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 1V. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5000pF. Omkostninger): 1800pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. Id(imp): 720A. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 270W. On-resistance Rds On: 0.005 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 29 ns. Td(on): 14 ns. Hus: SUPER-220. Hus (i henhold til datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 1V. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: SUPER-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRLBA3803PPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 270W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maks.): 1.7A. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spænding Vds (maks.): 60V

C (i): 870pF. Omkostninger): 360pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Forskellige: Dynamic dv/dt Rating. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 23 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Funktion: Hurtigt skift, logisk niveau gate-drev. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: DIP4. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 4. Producentens mærkning: IRLD024PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 870pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 740pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forstærkerapplikationer optimeret til klasse D-lyd. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 25uA. IDss (min): 2uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 39W. On-resistance Rds On: 0.042 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Teknologi: Digital Audio HEXSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 660pF. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 57 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forstærkerapplikationer optimeret til klasse D-lyd. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 25uA. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. On-resistance Rds On: 93m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Teknologi: Digital Audio HEXSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -40...+170°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: LL014N. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 5.1 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 14 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 230pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FL024. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 18 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 510pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9.3 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 250pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 530pF. Omkostninger): 230pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2.4V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: LL2703. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: LL2703. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: LL2705. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 6.2 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 870pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1A. Drain-source spænding Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 2.5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 110pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.54W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 740pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (maks.): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 20V. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) min.: 0.6V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Drain-source spænding Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7.5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 54 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.8W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C