På lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B N-Kanal Power MOSFET 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-263 (D
Produktreference : YJB110G10B
Mængderabatter — Spar ved køb
| Mængde | Enhedspris | Spare |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 17.38 kr | — |
| 5 – 9 | 14.62 kr | -16% |
| 10 – 19 | 13.54 kr | -22% |
| 20 – 49 | 12.56 kr | -28% |
| 50 – 99 | 11.84 kr | -32% |
| 100 – 799 | 11.56 kr | -33% |
| 800+Bedste pris | 11.54 kr | -34% |
Tekniske specifikationer
6 parametre| Parameter | Værdi |
| Type | MOSFET |
| Spænding | 100 V |
| Strøm | 110.0 A |
| Kapsel | TO-263 |
| Modstand (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Teknisk beskrivelse af produktet (YJB110G10B):
YJB110G10B er en højtydende MOSFET fremstillet af Yangjie Electronic Technology. Denne (YET) N-POWERFET har 100V, 110A og en Rds(on) på 0.0052 Ohm, indkapslet i en TO-263 (D2PAK) kapsel. Den er velegnet til strømstyring, DC-DC-konvertere og motorstyringsapplikationer.<br><br>