På lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD2065200NCTGH SiC N-Kanal MOSFET 650V 18.5A TO-247
Produktreference : YJD2065200NCTGH
Mængderabatter — Spar ved køb
| Mængde | Enhedspris | Spare |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 46.10 kr | — |
| 2 – 4 | 40.87 kr | -11% |
| 5 – 8 | 36.89 kr | -20% |
| 9 – 29 | 33.35 kr | -28% |
| 30 – 44 | 33.12 kr | -28% |
| 45 – 89 | 30.65 kr | -34% |
| 90+Bedste pris | 29.60 kr | -36% |
Tekniske specifikationer
6 parametre| Parameter | Værdi |
| Type | N-Kanal MOSFET |
| Spænding | 650 V |
| Strøm | 18.5 A |
| Kapsling | TO-247 |
| Modstand (RDSon) | 0.200 Ohm |
Teknisk beskrivelse af produktet (YJD2065200NCTGH):
Yangjie Electronic Technology YJD2065200NCTGH er en højtydende SiC N-kanal MOSFET. Den har 650V, 18.5A, Rds < 0.200 Ohm og 105W. Den er velegnet til strømstyring, DC-DC-konvertere og motorstyringsapplikationer. Indkapslet i en TO-247 kapsling.<br><br>